多晶硅专利文献集,专利技术,专利检索,失效专利,专利网

欢迎访问实用致富技术网

	网站地图
	付款方式
	给我留言

期刊文献资料，收录了国内近年来发表的几乎所有的期刊杂志上的科技文献资料，每篇技术文献都是研究者的心得和体会，涵盖面广，容量大，内容阐述深刻而精辟，有详细的实验过程和结果分析，是不可多得的技术开发资料。

相关专利文献的实例说明

查看汇款事宜

给我留言咨询

电话:0571-22866826

	多晶硅专利文献集(价格为280元/套,含特快邮费)

	收录多晶硅专利技术137项 1、15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 2、70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法 3、N型掺杂多晶硅的制造方法 4、半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构 5、半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法 6、半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法 7、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺 8、避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法 9、玻璃衬底的预多晶硅被覆 10、薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器 11、薄膜晶体管的多晶硅制造方法 12、彩色多晶硅微粒及其制备方法 13、超小粒径多晶硅的结构和方法 14、低温多晶硅薄膜的制造方法 15、低温多晶硅薄膜的制造方法 2 16、低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管 17、低温多晶硅薄膜电晶体的结构 18、低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法 19、多晶硅、其生产方法及生产装置 20、多晶硅棒及其加工方法 21、多晶硅棒及其制造方法 22、多晶硅表面金属杂质的清除 23、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法 24、多晶硅薄膜的制造方法 25、多晶硅薄膜的制造方法 2 26、多晶硅薄膜的制造方法 3 27、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件 28、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法 29、多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法 30、多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备 31、多晶硅层的处理方法 32、多晶硅层的结晶方法 33、多晶硅层的制作方法 34、多晶硅层的制作方法 2 35、多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器 36、多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法 37、多晶硅的定向生长方法 38、多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置 39、多晶硅的评价方法 40、多晶硅的生产装置 41、多晶硅的蚀刻方法 42、多晶硅的制造方法和装置 43、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 44、多晶硅电阻及其制造方法 45、多晶硅电阻器及其制造方法 46、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法 47、多晶硅化钨栅极的制造方法 48、多晶硅化学气相沉积方法和装置 49、多晶硅间介电层的制造方法 50、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法 51、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法 52、多晶硅膜的制造方法 53、多晶硅氢还原炉 54、多晶硅氢还原炉 2 55、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置 56、多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法 57、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法 58、多晶硅细脉熔丝 59、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 60、多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法 61、改进的多晶硅-硅化物 62、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法 63、改善栅极多晶硅层电阻值的方法 64、高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法 65、光罩与应用其形成多晶硅层的方法 66、化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构 67、基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法 68、基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制 69、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺 70、将非晶硅转换为多晶硅的方法 71、降低多晶硅层洞缺陷的方法 72、具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法 73、具有高介电常数的多晶硅栅间介电层的结构及其形成方法 74、具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺 75、绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 76、可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层 77、利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法 78、利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法 79、利用放热反应制备多晶硅的方法 80、利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法 81、利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法 82、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法 83、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法 84、评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统 85、去除多晶硅残留的方法 86、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 87、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程 88、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法 89、为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法 90、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅 91、形成T型多晶硅栅极的方法 92、形成多晶硅层的方法 93、形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 94、形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体的方法 95、形成多晶硅结构 96、形成多晶硅锗层的方法 97、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法 98、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法 99、形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法 100、形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法 101、形成微晶硅系列薄膜的工艺和适于实施所述工艺的装置 102、一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺 103、一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺 104、一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 105、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法 106、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法 107、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法 108、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法 109、一种制备多晶硅的方法 110、一种制备多晶硅绒面的方法 111、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案 112、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法 113、用多晶硅炉料制备硅熔体的方法 114、用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺 115、用多晶硅原料制备熔硅的方法 116、用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法 117、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法 118、用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET 119、用于评估多晶硅薄膜的装置 120、用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术 121、由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法 122、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置 123、于基板上形成多晶硅层的方法 124、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法 125、在半导体装置中形成多晶硅层的方法 126、在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法 127、制备多晶硅的方法 128、制备多晶硅颗粒的方法和装置 129、制备微晶硅的方法 130、制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具 131、制造多晶硅层的方法 132、制造多晶硅层的方法及其光罩 133、制造内层多晶硅介电层的方法 134、制造双层多晶硅存储器元件的方法 135、制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法 136、制作低温多晶硅薄膜的方法 137、制作多晶硅薄膜的方法收录多晶硅期刊文献228项 1、77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路 2、365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制 3、a_Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 4、a_Si∶H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响 5、a_SiH薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜 6、Al_2O_3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶英文 7、CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制 8、CMOS工艺兼容多晶硅压力敏感膜的设计与加工 9、CMOS工艺制作的横向多晶硅p～+p～_n～+结的温度特性及其应用 10、ECR_PECVD方法低温制备多晶硅薄膜 11、LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析 12、MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管 13、N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究 14、Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究 15、PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究 16、PECVD在多晶硅上沉积氮化硅膜的研究 17、Raman散射和AFM对多晶硅薄结晶状况的研究 18、SiCl_4_H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响 19、SiCl_4_H_2为气源低温制备多晶硅薄膜 20、SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究 21、UHVCVD多晶锗硅及其电学特性 22、YAG激光晶化多晶硅 23、半绝缘多晶硅薄膜的钝化与性能研究 24、表面加工多晶硅薄膜热导率测试结构 25、表面加工多晶硅薄膜热扩散系数的在线提取 26、玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象 27、采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件 28、掺砷多晶硅发射极RCA晶体管 29、掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 30、超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路 31、大面积多晶硅绒面的制备 32、大型多晶硅片加速碳化硅器件的发展 33、单晶硅多晶硅太阳电池电性能一致性分析 34、氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用 35、氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响 36、德国多晶硅太阳电池转换率突破20%关 37、等离子体_热丝CVD技术制备多晶硅薄膜 38、低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索 39、低温多晶硅TFT_LCD的开发动向和发展 40、低温多晶硅TFT技术的发展 41、低温多晶硅新技术 42、低温激光退火多晶硅薄膜的光学常数研究英文 43、低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术 44、低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜 45、低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用 46、电子级多晶硅的生产工艺 47、淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究 48、多晶硅TFT的发展与应用 49、多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用 50、多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究 51、多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究 52、多晶硅表面微机械光学角速率传感器 53、多晶硅薄膜材料与器件研究进展 54、多晶硅薄膜的表面处理工艺 55、多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺 56、多晶硅薄膜的高温压阻效应 57、多晶硅薄膜的工艺研究 58、多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法 59、多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制 60、多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制 61、多晶硅薄膜高温退火特性研究分析 62、多晶硅薄膜厚度测量技术 63、多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响 64、多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术 65、多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀 66、多晶硅薄膜晶体管特性的研究 67、多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计 68、多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计 69、多晶硅薄膜太阳电池 70、多晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟 71、多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展 72、多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响 73、多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究 74、多晶硅薄膜太阳能电池的研制及发展趋势 75、多晶硅薄膜压阻系数的理论研究 76、多晶硅薄膜应力特性研究 77、多晶硅薄膜制备技术的研究进展 78、多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制英文 79、多晶硅沉淀的灰色分析 80、多晶硅衬底上的RF MEMS开关英文 81、多晶硅单晶硅同步外延研究英文 82、多晶硅的ECR等离子体刻蚀 83、多晶硅电阻负阻特性的研究 84、多晶硅电阻中晶粒数晶粒平均长度及激活能的确定 85、多晶硅锭的制备及其形貌组织的研究 86、多晶硅锭凝固过程的影响因素分析及数值模拟 87、多晶硅短缺将影响芯片制造业 88、多晶硅发射极超高速集成电路工艺 89、多晶硅发射极晶体管直流特性研究 90、多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟 91、多晶硅高温压力传感器的温度特性 92、多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿 93、多晶硅隔离的工艺与价值 94、多晶硅工业化装置在四川建成 95、多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 96、多晶硅集成高温压力传感器研究 97、多晶硅集成微系统技术及应用 98、多晶硅加热法评价金属互连线电迁移寿命 99、多晶硅面板技术的突破 100、多晶硅热执行器阵列的宏模型 101、多晶硅生产与发展 102、多晶硅生产中回收氢气的净化 103、多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算 104、多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路 105、多晶硅太阳电池 106、多晶硅太阳电池表面化学织构工艺 107、多晶硅太阳电池的表面和界面复合 108、多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究 109、多晶硅太阳电池的氮化硅钝化 110、多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理 111、多晶硅太阳电池的吸杂实验研究 112、多晶硅太阳电池的有效等离子体氢钝化英文 113、多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展 114、多晶硅太阳能电池生产工艺技术探讨及应用前景分析 115、多晶硅微电子机械构件材料强度尺寸效应研究 116、多晶硅微构件拉伸破坏特性的测量 117、多晶硅微机械构件损伤的表面效应 118、多晶硅微机械开关英文 119、多晶硅微机械抗粘附结构参数设计 120、多晶硅微型电极阵列的研制 121、多晶硅微悬臂梁断裂失效强度的尺寸效应 122、多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究 123、多晶硅压力传感器热灵敏度漂移补偿技术 124、多晶硅氧化硅界面的二次离子质谱分析 125、多晶硅注氮制备46nm超薄栅介质 126、多晶碳化硅的氧化技术研究 127、多晶锗硅Poly_Si_07Ge_03薄膜的制备 128、多晶锗硅室温微测辐射热计线性阵列的研制 129、多孔硅对多晶硅太阳电池中缺陷和杂质的吸除效应 130、多孔硅多晶硅太阳电池研究 131、多孔硅在多晶Si太阳电池中的应用研究 132、范德堡多晶硅热导率的测试结构 133、非晶硅缓冲层在具有Al_2O_3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用 134、改变我国多晶硅严重短缺局面迫在眉睫 135、高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用 136、功能薄膜材料多晶硅的制备及光电特性研究 137、关于多晶硅项目介绍 138、光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策 139、国内外多晶硅发展现状 140、哈萨克斯坦拟用新工艺生产多晶硅 141、河南省多晶硅生产关键设备有望实现技术突破 142、化学腐蚀法制备多晶硅的绒面 143、化学源金属诱导多晶硅研究 144、基于横向多晶硅二极管的CMOS兼容热风速计 145、激光晶化多晶硅的制备与XRD谱 146、激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究 147、极富发展前景的多晶硅薄膜太阳电池 148、集成电路中金属连线下多晶硅电阻的不稳定性分析及抑制方法英文 149、简论发展我国太阳电池及多晶硅产业 150、金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜 151、金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究 152、金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究 153、金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展 154、金属诱导生长多晶锗硅薄膜的电学性能研究 155、金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜 156、颗粒硅带衬底上多晶硅薄膜电池研制取得新进展 157、颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制 158、颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺 159、可弯曲大画面低温多晶硅TFT_LCD 160、快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究 161、快速光热退火制备多晶硅薄膜 162、利用高斯分布模型研究多晶硅晶界电学特性 163、利用快速热退火法制备多晶硅薄膜 164、粒状多晶硅生产概况 165、两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管 166、磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用 167、铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响 168、铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究 169、铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜 170、模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池 171、纳米硬度计研究多晶硅微悬臂梁力学特性 172、耐高温多晶硅应变计 173、氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响 174、氢原子在Cat_CVD法制备多晶硅薄膜中的作用 175、区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池 176、染色腐蚀法制备多晶硅的绒面 177、热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响 178、热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性 179、热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究 180、热退火对多晶硅特性的影响英文 181、上海技术物理研究所太阳能级多晶硅生产技术取得突破 182、尚德多晶硅太阳能电池世界排名第八 183、实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺 184、双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证 185、双岛结构多晶硅压力传感器削角补偿技术的研究 186、四川乐山年产1000吨多晶硅项目的火灾危险性分析及消防技术措施 187、苏帕河矿电联营有关多晶硅生产项目的调研 188、太阳能产业带热多晶硅投资 189、陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池研究进展 190、微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管 191、微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究 192、微机械多晶硅薄膜热敏电阻特性研究 193、微加工多晶硅薄膜热导率T型测试结构的设计与模拟 194、我国多晶硅产业将迎来黄金发展期 195、我国多晶硅生产技术打破国外垄断 196、我国多晶硅生产现状与发展 197、我国首台多晶硅大还原炉试验成功 198、新世纪国内外多晶硅的新发展 199、新型多晶硅薄膜热膨胀系数在线测试结构 200、兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考 201、亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究 202、氩气对多晶硅刻蚀的影响 203、氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究 204、一种15～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究 205、一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究 206、一种基于热执行器的多晶硅断裂强度的电测量法 207、一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法 208、以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜 209、以SiF_4+H_2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜 210、以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法 211、用SiCl_4_H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析 212、用SiCl_4H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究 213、用SiH_2Cl_2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究 214、用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管 215、用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜 216、用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究 217、用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数 218、源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究 219、在SiO_2和Si_3N_4膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的研究 220、在我国西部地区建设多晶硅大厂的必要性和可行性 221、在线检测多晶硅薄膜热导率测试结构的设计与模拟 222、铸造多晶硅的研究进展 223、铸造多晶硅中热施主形成规律 224、铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理 225、铸造多晶硅中氧的热处理行为研究 226、准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展 227、准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备 228、准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体

本站关键词:能源系列,太阳能,石油天然气,汽柴油,煤制品大全,燃料,发电机,节能炉具,工业锅炉,生物质,风能,新能源专利技术

客服电话:0571-22866826 电子信箱:webmaster@51jishu.net 传真:0571-22866828 客户留言