收录单晶硅专利技术75项
1、边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法
2、标定单晶硅晶圆晶向的方法
3、处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法
4、从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺
5、从低缺陷密度的单晶硅上制备硅-绝缘体结构
6、粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
7、单晶硅衬底双面抛光片
8、单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
9、单晶硅的制造设备
10、单晶硅锭及其制造方法
11、单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
12、单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
13、单晶硅膜的制造方法
14、单晶硅片各向异性腐蚀夹具
15、单晶硅片抗机械力的提高
16、单晶硅生产设备
17、单晶硅生产装置
18、单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
19、单晶硅直径测定法及其设备
20、单晶硅直径控制法及其设备
21、低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
22、非线性磁场单晶硅拉制方法及其装置
23、分离单晶硅埚底料中石英的工艺
24、高纯度硅的制造方法
25、高纯度冶金硅及其制备方法
26、硅板及其生产方法和太阳能电池
27、硅薄膜的形成方法及硅薄膜太阳能电池
28、硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术
29、硅薄膜太阳电池用P型窗口层及其制备方法
30、硅薄膜太阳能电池的制造方法
31、硅光接收器件
32、硅结构体及其制造方法和装置及使用硅结构体的太阳电池
33、硅片和生产单晶硅的方法
34、硅片太阳电池制作方法
35、硅太阳电池的制作方法及使用该方法制作的硅太阳电池
36、硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法
37、晶体硅太阳电池组件
38、具有非均匀少数载流子寿命分布的单晶硅及其形成工艺
39、具有改进的内部收气的热退火单晶硅片及其热处理工艺
40、具有结构氧掺杂的硅及其生产方法和用途
41、绝缘体上单晶硅(SOI)材料的制造方法
42、宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池
43、利用坩锅旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
44、平板单晶硅表面的改性方法
45、热退火后的低缺陷密度单晶硅
46、生产太阳能电池用高纯度硅的方法
47、生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
48、双层玻璃结构的晶体硅太阳电池组件
49、双面光照单晶硅太阳电池
50、太阳能电池及硅器件化学镀镍方法
51、太阳能电池用硅的制造方法
52、太阳能级硅单晶生产工艺方法
53、陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
54、提拉单晶硅的装置
55、通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
56、透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池
57、无定形硅的制备方法
58、一种硅双面太阳电池
59、一种硅太阳电池
60、一种硅太阳电池的结构与制作方法
61、一种颗粒硅带的制备方法及其专用设备
62、一种生产硅太阳电池的方法及相关的设备
63、一种用于太阳能电池硅材料表面织构化的腐蚀剂
64、一种用于直拉法生长单晶硅的硅籽晶夹持器
65、一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
66、抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长的方法及装置
67、用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
68、用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法
69、用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法
70、用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
71、直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
72、直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针
73、制备单晶硅片表面完整层的新途径
74、制备具有均匀热过程的单晶硅的方法
75、制造单晶硅的装置

收录单晶硅期刊文献172项
1、12英寸硅单晶抛光片的研制
2、12英寸直拉单晶硅在宁波研制成功
3、300mm硅单晶的生长技术
4、300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析
5、450毫米单晶硅圆片时代即将来临
6、Au纳米晶在单晶硅110表面上的分形生长
7、CZ硅单晶中原生缺陷的特性
8、ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理
9、Fuzzy_PID复合控制在单晶硅等径生长中的应用
10、IgG分子在单晶硅片表面导向性固定的XPS和EIA研究
11、NdYAG固体激光铣削单晶硅表面形貌研究
12、n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制
13、p型单晶硅涂源掺锰新方法
14、P型高阻硅单晶材料的寿命初探
15、TMAH单晶硅腐蚀特性研究
16、ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望
17、ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制
18、X射线干涉仪中单晶硅微动工作台的研制
19、γ辐照对硅单晶电学参数的影响
20、Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究
21、苯乙烯在烷基功能化硅单晶表面的原位活性自由基聚合反应
22、表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用
23、表面张力温度系数对硅单晶生长的影响
24、掺AS硅单晶片外延技术
25、掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究
26、掺锗直拉硅体单晶的生长
27、常规单晶硅太阳电池在低倍聚光条件下应用研究
28、超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备
29、超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
30、冲蚀磨损下单晶硅111面的断裂行为
31、磁场直拉硅单晶生长
32、大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷
33、单晶硅001衬底材料中非经典衍射的研究
34、单晶硅表面改性及其微观摩擦学性能研究进展
35、单晶硅表面全氟聚醚润滑膜的制备及摩擦特性研究
36、单晶硅表面无掩膜极微细加工成形的研究
37、单晶硅表面有机硅烷Ag_2O纳米微粒复合自组装膜的制备和表征
38、单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究
39、单晶硅薄膜面向热导率分子动力学研究
40、单晶硅材料电火花加工试验研究
41、单晶硅材料机械性能研究及进展
42、单晶硅掺杂新技术
43、单晶硅衬底材料中的消光衍射
44、单晶硅脆性微裂纹的透射电镜观察
45、单晶硅的表面光电性质研究
46、单晶硅的激光铣削试验研究
47、单晶硅的纳米硬度测试分析
48、单晶硅多晶硅太阳电池电性能一致性分析
49、单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟
50、单晶硅各向异性湿法腐蚀机理的研究进展
51、单晶硅和单晶铝纳米切削过程比较
52、单晶硅滑动磨损性能及其相变研究
53、单晶硅基表面碳纳米管薄膜的制备研究
54、单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究
55、单晶硅晶圆晶向的精确标定方法
56、单晶硅镜面超光滑表面工艺技术研究
57、单晶硅裂纹尖端的位错发射行为
58、单晶硅摩擦致相变的SEM研究
59、单晶硅内氢杂质特性研究进展
60、单晶硅纳米薄膜面向导热MD研究的探讨
61、单晶硅纳米加工机理的分子动力学研究
62、单晶硅片超精密加工表面亚表面损伤检测技术
63、单晶硅片的区域载荷法平坦化抛光
64、单晶硅片的制造技术
65、单晶硅片的制造技术
66、单晶硅片温度的拉曼光谱测定
67、单晶硅上化学气相沉积铜薄膜的机理研究英文
68、单晶硅市场概述
69、单晶硅太阳电池的表面织构化
70、单晶硅太阳电池的工业化生产
71、单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究
72、单晶硅太阳电池应用的改进方案
73、单晶硅太阳能电池硅与电极间的欧姆接触
74、单晶硅同位素
75、单晶硅微构件力学特性片上测试系统
76、单晶硅微桥式梁力学性能的弯曲测试
77、单晶硅压痕裂纹的氢致滞后扩展
78、单晶硅氩离子注入层的微观结构和微观摩擦磨损行为
79、单晶硅中氮杂质研究进展
80、单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响英文
81、单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型
82、单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用
83、单晶硅作为新型的基因芯片基底的探索
84、单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性英文
85、多晶硅单晶硅同步外延研究英文
86、非单晶硅太阳能电池组件比功率发电量比较
87、高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
88、高纯区熔单晶硅高增益光晶体管的研究
89、高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构
90、高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为
91、高温硅功率器件所用硅单晶电阻率的选取
92、高效单晶硅全自动跟踪太阳发电设备研究
93、高效单晶硅太阳电池的结构分析与设计
94、高载下单晶铜和单晶硅的径向纳动与损伤行为研究
95、勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟
96、勾形磁场中直拉硅单晶浓度场的数值模拟研究
97、光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理
98、硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅰ传热与流动特性
99、硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅱ质量传递特性
100、硅单晶材料发展动态
101、硅单晶及衬底的热处理特性
102、硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究
103、硅单晶片研磨液的研究
104、硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响
105、硅单晶市场分析
106、硅单晶中掺杂元素砷的SRXRF微区分析研究
107、硅酸钠在太阳能电池单晶硅表面织构化的作用
108、硅烷化单晶硅表面自组装ZrO_2薄膜及其摩擦学性能研究
109、国产CCD控制单晶硅炉设备诞生
110、国产炉拉制Φ762mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析
111、国产太阳能硅单晶生长设备的应用研究
112、含纳米粒子溶液对单晶硅表面的冲蚀磨损损伤实验研究
113、基于AFM微加工的单晶硅表层性质的研究
114、基于分子动力学单晶硅纳米切削机理研究
115、空间太阳电池硅单晶的辐射效应及加固
116、快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜镍对氧沉淀的影响英文
117、利用AFM和碱溶液在单晶硅表面微加工及其电化学机理
118、利用单晶硅液晶光阀产生动态红外场景
119、纳米粒子与单晶硅表面碰撞的反弹机理研究
120、钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究
121、强激光作用下单晶硅的热畸变特性研究
122、氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响
123、热处理对辐照区熔硅单晶的重要作用
124、日俄研制出高纯度单晶硅
125、深亚微米集成电路用硅单晶材料
126、实用型硅单晶中氧碳含量自动测量系统
127、室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
128、室温下单晶硅压痕微裂纹的形成与扩展
129、太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用
130、太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀的研究
131、探测器级NTD硅单晶的研制
132、碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征
133、碳化硅单晶生长方面取得重大进展
134、铁炭微电解法在单晶硅生产废水处理中的应用
135、图像处理技术在单晶硅生产监测中的应用研究
136、微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究
137、微重力下单晶硅生长中热毛细对流的控制研究
138、紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响
139、我国实现8英寸硅单晶抛光片规模生产
140、我国首条200 mm硅单晶抛光片生产线通过验收
141、我国研制成功控制直柱硅单晶生长的环形永磁体
142、我国研制成功直径18英寸直拉硅单晶
143、线切割单晶硅表面损伤的研究
144、羊抗人IgG的Fab_片段在单晶硅片表面的位点导向性固定
145、阳极腐蚀条件及单晶硅类型对多孔硅光致发光性能的影响
146、抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器
147、应用AFM研究单晶硅锗的超精密车削表面微观形貌
148、应用原子力显微镜对单晶硅进行纳米级加工
149、用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较
150、用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度
151、用于MEMS的单晶硅上无电镀铜镀镍工艺
152、原料对碳化硅单晶生长的影响
153、原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律
154、杂质对单晶硅材料硬度的作用
155、杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究
156、载能团簇直接诱发硅单晶转变成纳米晶结构
157、在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶
158、粘度对含纳米粒子溶液冲蚀单晶硅表面的磨损影响
159、锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响
160、浙大海纳扩大硅单晶生产
161、直拉硅单晶生长的现状与发展
162、直拉硅单晶中位错的光致发光
163、直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制
164、直拉重掺硼硅单晶的研究进展
165、质子注入单晶硅中的结构演化
166、制造出8英寸硅单晶抛光片
167、中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化
168、重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析
169、重掺锑硅单晶中氧沉淀行为及机制研究通过鉴定
170、重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
171、轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响
172、准分子激光直接刻蚀单晶硅研究