1、纳米氮化铟粉体的制备方法
2、纳米氢氧化铟用于生产碱性电池的工艺
3、锡掺杂的氧化铟薄膜及微细图形制备工艺
4、氧化铜－氧化铟复合纳米晶材料的制备方法
5、氧化铟薄膜材料及制备方法
6、氧化铟膜的形成方法,具有氧化铟膜的衬底及半导体元件
7、氧化铟锡粉末的制备方法
8、氧化铟中固溶锡的ITO粉末制造方法以及ITO靶的制造方法
9、一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法
10、以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法
11、银氧化锡氧化铟电触点用线材及其生产工艺
12、在红外波段具有低发射率的氧化铟锡粉末及其制备方法
13、增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法
14、制造氧化铟氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品

1、In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
2、In_2O_3SnITO薄膜的光学特性研究
3、In_2O_3还原挥发的热力学计算
4、In_2O_3基气体传感器研究现状
5、In_2O_3基热线型气敏元件的研制
6、In_2O_3纳米材料的制备及其气敏特性的研究
7、In_2o_3热线型乙醇气敏元件研究
8、ITO 膜的制备方法和 TD_360 型立式 ITO 透明导电膜生产线
9、ITO 膜发展现状及工艺技术分析
10、ITO表面处理方法
11、ITO薄膜的光学和电学性质及其应用
12、彩色膜上ITO的室温沉积及其在FPD中的应用
13、掺杂SO_4～2_对In_2O_3电导和气敏性能的影响
14、超声辐射溶胶_凝胶法制备纳米In_2O_3气敏材料
15、超细氧化铟粉的研制
16、超细氧化铟-氧化锡ITO复合粉末的研制与结构特性
17、臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用
18、磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究
19、代汞缓蚀剂In_2O_3纳米粉体
20、代汞缓蚀剂用In_2O_3纳米粉体的研究
21、单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成
22、等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质
23、对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究
24、高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究
25、高迁移率透明导电In_2O_3Mo薄膜
26、共沸蒸馏法制备氧化铟粉体及性能研究
27、浸渍_涂布法制备In_2O_3薄膜
28、纳米氧化铟粉体的形貌与结构研究
29、纳米氧化铟粉体的制备及其在碱性锌锰电池中的应用
30、纳米氧化铟锡表面改性研究
31、纳米氧化铟锡掺杂的有机玻璃电导率及复介电常数的研究
32、纳米氧化铟锡透明隔热涂料的制备及性能表征
33、热处理对制备纳米氧化铟锡ITO粉末的影响
34、溶胶凝胶法制备的ITO薄膜电学及光学性能的研究
35、溶胶-凝胶法制备的纳米In_2O_3气敏性能研究
36、透明导电氧化物薄膜研究现状与产业化进展
37、透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用
38、新材料ITO薄膜的应用和发展
39、氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究
40、氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算
41、氧化铟掺杂对 ZnFe_2O_4 半导体气敏性能的影响
42、氧化铟的利备及制备条件对其结构与性质的影响
43、氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响
44、氧化铟纳米粉的低温制备
45、氧化铟纳米粉体的微乳液合成及其气敏特性
46、氧化铟气敏材料的制备与特性
47、氧化铟锡ITO膜的光学及电学性能
48、氧化铟锡靶与铟的润湿性研究
49、氧化铟锡薄膜材料开发现状与前景
50、氧化铟锡薄膜隔热效果的计算与分析
51、氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用
52、用幕墙玻璃镀膜生产线大面积制备ITO膜
53、制备工艺对纳米级铟锡氧化物ITO形貌和电性能的影响